| 牛延慧; 万泉; 于文彬; 杨曙光 | |
| 2022-02-25 | |
| 专利权人 | 中国科学院地球化学研究所 |
| 专利类型 | 发明 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利号 | CN112174148B |
| 一种合成高纯度六方柱形二氧化硅纳米多孔材料的方法 | |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 已授权 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.gyig.ac.cn/handle/42920512-1/15275 |
| 专题 | 矿床地球化学国家重点实验室 |
| 作者单位 | 1.贵州师范学院 2.中国科学院地球化学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛延慧,万泉,于文彬,等. 一种合成高纯度六方柱形二氧化硅纳米多孔材料的方法. CN112174148B[P]. 2022-02-25. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN112174148B.pdf（413KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | ||
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