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一种合成高纯度六方柱形二氧化硅纳米多孔材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN112174148B, 申请日期: 2022-02-25,
发明人:  牛延慧;  万泉;  于文彬;  杨曙光
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纳米孔二氧化硅吸附金属离子的实验探索 会议论文
, 中国陕西西安, 2017-04-18
作者:  牛延慧;  于文彬;  覃宗华;  万泉
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影响SiO2矿物零电荷点的几种结构因素 会议论文
, 中国陕西西安, 2017-04-18
作者:  于文彬;  牛延慧;  覃宗华;  万泉
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Adsorption of metal ions on model mineral nanopores: an experimental study 演示报告
2016
作者:  Niu YH(牛延慧)
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蒙脱石-烟草混合物热解过程的热红联用 会议论文
, 中国吉林长春, 2015-06-24
作者:  覃宗华;  万 泉;  李姗姗;  傅宇虹;  谷渊涛;  牛延慧;  杨美稚
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